Таблица 26. Электрические свойства полупроводников
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172173174175176177178179180181182183184185186187188189190191192193194195196197198199200201202203204205206207208209210211212213214215216217218219220221222223224225226227228229230231232233
Вещество |
Ширина запрещенной зоны, эВ |
Собственное удельное сопротивле |
Диэлектрическая проницае |
Подвижности носителей тока в области собственной проводимости при 20 °С, см2 • В 1 - с |
|
|
ние при 20 °С, Ом-см |
мость |
электроны |
дырки |
|
Алмаз |
6 |
Ю8Ю12 |
5,5 4- 16,5 |
1 800 |
1 200 |
Германий |
0,68 0,75 |
43 |
16 |
3 800 |
1 800 |
Кремний |
1,1 |
2,6 • 105 |
12,5 |
1 600 |
400 |
Селен (кристалл.) |
1,7 |
10*4- 1012 |
6 |
— |
— |
Теллур |
0,36 |
0,1 |
25 |
1 700 |
1 200 |
Сульфид свинца |
0,34 -Ь 0,37 |
0,2 |
_ |
600 |
200 |
Антимонид индия |
0,18 |
0,007 |
17 |
77 000 |
1 250 |
Арсенид галлия |
1,4 |
150 |
18 |
4 000 |
400 |
\